Доставка в 35000 населённых
пунктов, ТК СДЭК и Boxberry
Все формы оплаты для
физических и юридических
лиц!
Онлайн конфигуратор ПК,
бесплатная сборка.
Гарантия 2 года!
Широкий ассортимент
комплектующих. Более 30 лет
на рынке!
33 680 
ID товара: 450250
Накопитель SSD 4Tb Samsung 870 EVO (MZ-77E4T0B)

Основные

Производитель  ........................................................................................................................................................................................................
Код производителя  ........................................................................................................................................................................................................
MZ-77E4T0B
Внимание  ........................................................................................................................................................................................................
В спецификациях Samsung указано "3bit MLC", т.е. 3bit multi-level cells - это и есть TLC, Triple-level cells с 3 битами информации на ячейку, а у MLC в ячейке памяти хранится 2 бита.
Назначение  ........................................................................................................................................................................................................
внешний
Тип  ........................................................................................................................................................................................................
SSD
Форм-фактор  ........................................................................................................................................................................................................
Интерфейс  ........................................................................................................................................................................................................
SATA-III
DRAM-буфер  ........................................................................................................................................................................................................
да
Объём накопителя  ........................................................................................................................................................................................................
4000 Гб
Тип флэш-памяти  ........................................................................................................................................................................................................
TLC, Samsung V-NAND 3bit
Контроллер  ........................................................................................................................................................................................................
Samsung MKX
Объём кэш памяти  ........................................................................................................................................................................................................
4096 Мб, Low Power DDR4
Скорость чтения  ........................................................................................................................................................................................................
560 МБ/сек
Скорость записи  ........................................................................................................................................................................................................
530 МБ/сек
Скорость произвольного чтения 4 КБ блоков  ........................................................................................................................................................................................................
98000 IOPS, с глубиной очереди QD32
Скорость произвольной записи 4 КБ блоков  ........................................................................................................................................................................................................
88000 IOPS, с глубиной очереди QD32

Дополнительно

Ресурс перезаписи (TBW)  ........................................................................................................................................................................................................
2400 ТБ
Время наработки на отказ  ........................................................................................................................................................................................................
1500000 ч
Размеры (ШхВхГ)  ........................................................................................................................................................................................................
100 x 70 x 7 мм
Вес  ........................................................................................................................................................................................................
0.048 кг
Гарантия  ........................................................................................................................................................................................................
12 мес.
Сайт производителя  ........................................................................................................................................................................................................
+7-495-921-41-58
8-800-250-41-58
www.regard.ru