Доставка в 35000 населённых пунктов, ТК СДЭК и Boxberry Все формы оплаты для физических и юридических лиц! Онлайн конфигуратор ПК, бесплатная сборка. Гарантия 2 года! Широкий ассортимент комплектующих. Более 30 лет на рынке!  32 010 ₽ ID товара: 450250 Накопитель SSD 4Tb Samsung 870 EVO (MZ-77E4T0B) ОсновныеПроизводитель ........................................................................................................................................................................................................ Код производителя ........................................................................................................................................................................................................ MZ-77E4T0B Внимание ........................................................................................................................................................................................................ В спецификациях Samsung указано "3bit MLC", т.е. 3bit multi-level cells - это и есть TLC, Triple-level cells с 3 битами информации на ячейку, а у MLC в ячейке памяти хранится 2 бита. Назначение ........................................................................................................................................................................................................ внешний Тип ........................................................................................................................................................................................................ SSD Форм-фактор ........................................................................................................................................................................................................ Интерфейс ........................................................................................................................................................................................................ SATA-III DRAM-буфер ........................................................................................................................................................................................................ да Объём накопителя ........................................................................................................................................................................................................ 4000 Гб Тип флэш-памяти ........................................................................................................................................................................................................ TLC, Samsung V-NAND 3bit Контроллер ........................................................................................................................................................................................................ Samsung MKX Объём кэш памяти ........................................................................................................................................................................................................ 4096 Мб, Low Power DDR4 Скорость чтения ........................................................................................................................................................................................................ 560 МБ/сек Скорость записи ........................................................................................................................................................................................................ 530 МБ/сек Скорость произвольного чтения 4 КБ блоков ........................................................................................................................................................................................................ 98000 IOPS, с глубиной очереди QD32 Скорость произвольной записи 4 КБ блоков ........................................................................................................................................................................................................ 88000 IOPS, с глубиной очереди QD32 ДополнительноРесурс перезаписи (TBW) ........................................................................................................................................................................................................ 2400 ТБ Время наработки на отказ ........................................................................................................................................................................................................ 1500000 ч Размеры (ШхВхГ) ........................................................................................................................................................................................................ 100 x 70 x 7 мм Вес ........................................................................................................................................................................................................ 0.048 кг Гарантия ........................................................................................................................................................................................................ 12 мес. Сайт производителя ........................................................................................................................................................................................................ |
