Что с моим заказом?

Накопитель SSD 1Tb Samsung 970 EVO Plus (MZ-V7S1T0BW)

Хит продаж
Накопитель SSD 1Tb Samsung 970 EVO Plus (MZ-V7S1T0BW)
Накопитель SSD 1Tb Samsung 970 EVO Plus (MZ-V7S1T0BW)

ID: 312973

Модификация

Коротко о товаре
  • Назначение: внутренний
  • Тип: SSD
  • Форм-фактор: M.2
  • Объём накопителя: 1000 Гб
  • Интерфейс: PCI-E 3.0 x4
  • Поддержка NVMe: да
  • Скорость чтения: 3500 МБ/сек
  • Скорость записи: 3300 МБ/сек
  • Тип флэш-памяти: TLC
  • Объём кэш памяти: 1024 Мб
Полные характеристики
10 520 
В наличии

Основные

Производитель  ........................................................................................................................................................................................................
Код производителя  ........................................................................................................................................................................................................
MZ-V7S1T0BW
Внимание  ........................................................................................................................................................................................................
В спецификациях Samsung указано "3bit MLC", т.е. 3bit multi-level cells - это и есть TLC, Triple-level cells с 3 битами информации на ячейку, а у MLC в ячейке памяти хранится 2 бита.
Назначение  ........................................................................................................................................................................................................
внутренний
Тип  ........................................................................................................................................................................................................
SSD
Форм-фактор  ........................................................................................................................................................................................................
Интерфейс  ........................................................................................................................................................................................................
PCI-E 3.0 x4
Поддержка NVMe  ........................................................................................................................................................................................................
да
Объём накопителя  ........................................................................................................................................................................................................
1000 Гб
Тип флэш-памяти  ........................................................................................................................................................................................................
Контроллер  ........................................................................................................................................................................................................
Samsung Phoenix
Объём кэш памяти  ........................................................................................................................................................................................................
1024 Мб
Скорость чтения  ........................................................................................................................................................................................................
3500 МБ/сек
Скорость записи  ........................................................................................................................................................................................................
3300 МБ/сек

Дополнительно

Ресурс перезаписи (TBW)  ........................................................................................................................................................................................................
600 ТБ
Время наработки на отказ  ........................................................................................................................................................................................................
1500000 ч
Дополнительная информация  ........................................................................................................................................................................................................
новая 96-слойная TLC 3D V-NAND пятого поколения - замена старой 64-слойной в линейке 970 EVO,
благодаря комбинации новейшей технологии V-NAND и оптимизаций микропрограммы, 970 EVO Plus обеспечивает производительность при случайной записи на 57% выше, чем 970 EVO
Гарантия  ........................................................................................................................................................................................................
12 мес.
Сайт производителя  ........................................................................................................................................................................................................

Уважаемые покупатели! Пожалуйста, проверяйте описание товара на официальном сайте производителя перед покупкой. Уточняйте спецификацию, наличие на складе и цену у менеджеров интернет-магазина. Внешний вид, комплектация и характеристики могут быть изменены производителем без предварительного уведомления.