- Каталог
- Комплектующие для ПК
- Оперативная память
- AMD
- Оперативная память 4Gb DDR4 2666MHz AMD SO-DIMM (R744G2606S1S-U) RTL
- Описание
Описание оперативной памяти 4Gb DDR4 2666MHz AMD SO-DIMM (R744G2606S1S-U) RTL
ID: 341298
10
Коротко о товаре
- Объём памяти: 4 Гб
- Тип памяти: DDR4
- Пропускная способность: 21300 Мб/с
- CAS Latency (CL): 16
- RAS to CAS Delay (tRCD): 16
- Row Precharge Delay (tRP): 16
- Activate to Precharge Delay (tRAS): 38
- Напряжение питания: 1.2 В
Полные характеристики
1 260 ₽
В наличииОперативная память 4Gb DDR4 2666MHz AMD SO-DIMM (R744G2606S1S-U) RTL - это идеальное решение для повышения производительности вашего ноутбука или компьютера. Этот модуль памяти имеет форм-фактор SO-DIMM, что делает его идеальным для использования в ноутбуках и мини-ПК.
Этот модуль памяти использует технологию DDR4, которая обеспечивает более высокую скорость передачи данных и более эффективное энергопотребление по сравнению с предыдущими поколениями памяти. Объем памяти составляет 4 Гб, что позволяет запускать множество приложений одновременно без замедления работы системы.
Тактовая частота этого модуля памяти составляет 2666 МГц, что обеспечивает быструю скорость передачи данных и плавную работу системы. Пропускная способность составляет 21300 Мб/с, что гарантирует высокую производительность даже при выполнении самых ресурсоемких задач.
Дополнительные характеристики этого модуля памяти включают CAS Latency (CL) 16, RAS to CAS Delay (tRCD) 16, Row Precharge Delay (tRP) 16, и Activate to Precharge Delay (tRAS) 38. Эти параметры обеспечивают стабильную работу системы и минимизируют задержки при доступе к данным.
Этот модуль памяти не имеет системы охлаждения, что делает его идеальным для использования в системах с ограниченным пространством или в тихих средах. Установка этого модуля памяти проста и не требует специальных навыков.
Оперативная память 4Gb DDR4 2666MHz AMD SO-DIMM (R744G2606S1S-U) RTL - это надежное и эффективное решение для улучшения производительности вашего устройства. Не откладывайте обновление памяти - приобретите этот модуль прямо сейчас и наслаждайтесь быстрой и стабильной работой вашего устройства!
Этот модуль памяти использует технологию DDR4, которая обеспечивает более высокую скорость передачи данных и более эффективное энергопотребление по сравнению с предыдущими поколениями памяти. Объем памяти составляет 4 Гб, что позволяет запускать множество приложений одновременно без замедления работы системы.
Тактовая частота этого модуля памяти составляет 2666 МГц, что обеспечивает быструю скорость передачи данных и плавную работу системы. Пропускная способность составляет 21300 Мб/с, что гарантирует высокую производительность даже при выполнении самых ресурсоемких задач.
Дополнительные характеристики этого модуля памяти включают CAS Latency (CL) 16, RAS to CAS Delay (tRCD) 16, Row Precharge Delay (tRP) 16, и Activate to Precharge Delay (tRAS) 38. Эти параметры обеспечивают стабильную работу системы и минимизируют задержки при доступе к данным.
Этот модуль памяти не имеет системы охлаждения, что делает его идеальным для использования в системах с ограниченным пространством или в тихих средах. Установка этого модуля памяти проста и не требует специальных навыков.
Оперативная память 4Gb DDR4 2666MHz AMD SO-DIMM (R744G2606S1S-U) RTL - это надежное и эффективное решение для улучшения производительности вашего устройства. Не откладывайте обновление памяти - приобретите этот модуль прямо сейчас и наслаждайтесь быстрой и стабильной работой вашего устройства!
Уважаемые покупатели! Пожалуйста, проверяйте описание товара на официальном сайте производителя перед покупкой. Уточняйте спецификацию, наличие на складе и цену у менеджеров интернет-магазина. Внешний вид, комплектация и характеристики могут быть изменены производителем без предварительного уведомления.