Что с моим заказом?
  • Москва
  • Санкт-Петербург
  • (Республика Беларусь) Минск
  • Новосибирск
  • Екатеринбург
  • Нижний Новгород
  • Самара
  • Омск
  • Казань
  • Ростов-на-Дону
  • Челябинск
  • Уфа
  • Волгоград
  • Пермь
  • Красноярск
  • Воронеж
  • Краснодар
  • Тюмень
  • Саратов
  • Тольятти
  • Ижевск
  • Барнаул
  • Ульяновск
  • Иркутск
  • Хабаровск
  • Махачкала
  • Владивосток
  • Ярославль
  • Оренбург
  • Томск
  • Кемерово
  • Новокузнецк
  • Рязань
  • Набережные Челны
  • Киров

Накопитель SSD 4Tb Samsung 870 EVO (MZ-77E4T0B)

Накопитель SSD 4Tb Samsung 870 EVO (MZ-77E4T0B)
Накопитель SSD 4Tb Samsung 870 EVO (MZ-77E4T0B) - фото 2
Накопитель SSD 4Tb Samsung 870 EVO (MZ-77E4T0B) - фото 3
Накопитель SSD 4Tb Samsung 870 EVO (MZ-77E4T0B) - фото 4
Накопитель SSD 4Tb Samsung 870 EVO (MZ-77E4T0B)
Накопитель SSD 4Tb Samsung 870 EVO (MZ-77E4T0B) - фото 2
Накопитель SSD 4Tb Samsung 870 EVO (MZ-77E4T0B) - фото 3
Накопитель SSD 4Tb Samsung 870 EVO (MZ-77E4T0B) - фото 4

ID: 450250

Модификация

4Tb Samsung 870 EVO (MZ-77E4T0B)
Коротко о товаре
  • Назначение: внешний
  • Тип: SSD
  • Форм-фактор: 2.5"
  • Объём накопителя: 4000 Гб
  • Интерфейс: SATA-III
  • Скорость чтения: 560 МБ/сек
  • Скорость записи: 530 МБ/сек
  • Тип флэш-памяти: TLC
  • Объём кэш памяти: 4096 Мб
Полные характеристики
36 250 
В наличии

Описание

Последняя модель самого продаваемого в мире SSD накопителя, наконец, появилась на рынке. Накопитель 870 EVO создан на основе технологии Samsung, используемой в производстве SSD. Он отличается более высокой производительностью, надежностью и совместимостью, отвечает всем требованиям любого создателя контента, IT профессионалам и обычным пользователям.

Интеллектуальная технология записи Intelligent TurboWrite с увеличенным объемом изменяемого буфера позволяет повысить скорость записи и стабильность высоких рабочих характеристик.

Накопитель рассчитан на выполнение самых разных задач, начиная от использования в повседневной работе до обработки 8K видео. Он оснащен VNAND и MKX контроллером 6-го поколения, что обеспечивает стабильность его работы в системах любого назначения.

Основные

Производитель  ........................................................................................................................................................................................................
Код производителя  ........................................................................................................................................................................................................
MZ-77E4T0B
Внимание  ........................................................................................................................................................................................................
В спецификациях Samsung указано "3bit MLC", т.е. 3bit multi-level cells - это и есть TLC, Triple-level cells с 3 битами информации на ячейку, а у MLC в ячейке памяти хранится 2 бита.
Назначение  ........................................................................................................................................................................................................
внешний
Тип  ........................................................................................................................................................................................................
SSD
Форм-фактор  ........................................................................................................................................................................................................
Интерфейс  ........................................................................................................................................................................................................
SATA-III
DRAM-буфер  ........................................................................................................................................................................................................
да
Объём накопителя  ........................................................................................................................................................................................................
4000 Гб
Тип флэш-памяти  ........................................................................................................................................................................................................
TLC, Samsung V-NAND 3bit
Контроллер  ........................................................................................................................................................................................................
Samsung MKX
Объём кэш памяти  ........................................................................................................................................................................................................
4096 Мб, Low Power DDR4
Скорость чтения  ........................................................................................................................................................................................................
560 МБ/сек
Скорость записи  ........................................................................................................................................................................................................
530 МБ/сек
Скорость произвольного чтения 4 КБ блоков  ........................................................................................................................................................................................................
98000 IOPS, с глубиной очереди QD32
Скорость произвольной записи 4 КБ блоков  ........................................................................................................................................................................................................
88000 IOPS, с глубиной очереди QD32

Дополнительно

Ресурс перезаписи (TBW)  ........................................................................................................................................................................................................
2400 ТБ
Время наработки на отказ  ........................................................................................................................................................................................................
1500000 ч
Размеры (ШхВхГ)  ........................................................................................................................................................................................................
100 x 70 x 7 мм
Вес  ........................................................................................................................................................................................................
0.048 кг
Гарантия  ........................................................................................................................................................................................................
12 мес.
Сайт производителя  ........................................................................................................................................................................................................

Уважаемые покупатели! Пожалуйста, проверяйте описание товара на официальном сайте производителя перед покупкой. Уточняйте спецификацию, наличие на складе и цену у менеджеров интернет-магазина. Внешний вид, комплектация и характеристики могут быть изменены производителем без предварительного уведомления.