- Каталог
- Комплектующие для ПК
- Накопители SSD
- Samsung
- Накопитель SSD 4Tb Samsung 870 EVO (MZ-77E4T0B)
Накопитель SSD 4Tb Samsung 870 EVO (MZ-77E4T0B)
ID: 450250
16
Модификация
Коротко о товаре
- Назначение: внешний
- Тип: SSD
- Форм-фактор: 2.5"
- Объём накопителя: 4000 Гб
- Интерфейс: SATA-III
- Скорость чтения: 560 МБ/сек
- Скорость записи: 530 МБ/сек
- Тип флэш-памяти: TLC
- Объём кэш памяти: 4096 Мб
Полные характеристики
39 050 ₽
В наличииОсновные
Производитель ........................................................................................................................................................................................................
Код производителя ........................................................................................................................................................................................................
MZ-77E4T0B
Внимание ........................................................................................................................................................................................................
В спецификациях Samsung указано "3bit MLC", т.е. 3bit multi-level cells - это и есть TLC, Triple-level cells с 3 битами информации на ячейку, а у MLC в ячейке памяти хранится 2 бита.
Назначение ........................................................................................................................................................................................................
внешний
Тип ........................................................................................................................................................................................................
SSD
Форм-фактор ........................................................................................................................................................................................................
Интерфейс ........................................................................................................................................................................................................
SATA-III
DRAM-буфер ........................................................................................................................................................................................................
да
Объём накопителя ........................................................................................................................................................................................................
4000 Гб
Тип флэш-памяти ........................................................................................................................................................................................................
TLC, Samsung V-NAND 3bit
Контроллер ........................................................................................................................................................................................................
Samsung MKX
Объём кэш памяти ........................................................................................................................................................................................................
4096 Мб, Low Power DDR4
Скорость чтения ........................................................................................................................................................................................................
560 МБ/сек
Скорость записи ........................................................................................................................................................................................................
530 МБ/сек
Скорость произвольного чтения 4 КБ блоков ........................................................................................................................................................................................................
98000 IOPS, с глубиной очереди QD32
Скорость произвольной записи 4 КБ блоков ........................................................................................................................................................................................................
88000 IOPS, с глубиной очереди QD32
Дополнительно
Ресурс перезаписи (TBW) ........................................................................................................................................................................................................
2400 ТБ
Время наработки на отказ ........................................................................................................................................................................................................
1500000 ч
Размеры (ШхВхГ) ........................................................................................................................................................................................................
100 x 70 x 7 мм
Вес ........................................................................................................................................................................................................
0.048 кг
Гарантия ........................................................................................................................................................................................................
12 мес.
Сайт производителя ........................................................................................................................................................................................................
Уважаемые покупатели! Пожалуйста, проверяйте описание товара на официальном сайте производителя перед покупкой. Уточняйте спецификацию, наличие на складе и цену у менеджеров интернет-магазина. Внешний вид, комплектация и характеристики могут быть изменены производителем без предварительного уведомления.